基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端

摘要

本实用新型公开了基于单片集成技术的太赫兹低噪声辐射计前端，包括低噪声放大器电路、分谐波混频器电路和金属腔体，所述低噪声放大器电路和分谐波混频器电路均位于金属腔体内的GaAs衬底上，所述金属腔体包括低噪声放大器输入腔、混频器腔和本振输入腔，低噪声放大器输入腔与混频器腔连接，在混频器腔y轴延伸线上还垂直横穿本振输入腔，所述低噪声放大器电路位于低噪声放大器输入腔。本实用新型通过上述结构，将低噪声放大器和混频器在同一个GaAs衬底和腔体内进行加工，设计出的太赫兹接收前端电路可同时实现低噪声放大和混频的功能，可有效简化电路设计和加工，节约成本、减少内部损耗。