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基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器

摘要

本实用新型涉及一种基于石墨烯超表面结构的可协调折射率传感器,包括金属电极、二氧化硅层、掺杂硅层、多条石墨烯纳米带和多片方形石墨烯片;其中二氧化硅层设置在掺杂硅层上,二氧化硅层的底面与掺杂硅层的顶面紧贴;多条石墨烯纳米带从左到右依次设置在二氧化硅层的顶面上,石墨烯纳米带之间为平行设置;多片方形石墨烯片设置在二氧化硅层的顶面上,其设置位置位于相邻的两条石墨烯纳米带之间,金属电极设置在二氧化硅层的顶面上,其设置方向与石墨烯纳米带的设置方向相垂直,金属电极与石墨烯纳米带电连接。

著录项

  • 公开/公告号CN207850922U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-09-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南师范大学;

    申请/专利号CN201820289503.9

  • 申请日2018-03-01

  • 分类号G01N21/41(20060101);

  • 代理机构44102 广州粤高专利商标代理有限公司;

  • 代理人禹小明

  • 地址 510631 广东省广州市天河区中山大道西55号

  • 入库时间 2022-08-22 06:19:21

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-09-11

    授权

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