公开/公告号CN207752812U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-08-21
原文格式PDF
申请/专利权人 南通中联工业发展有限公司;
申请/专利号CN201820111239.X
申请日2018-01-23
分类号
代理机构
代理人
地址 200082 上海市杨浦区黄兴路2005号杨浦大厦21A
入库时间 2022-08-22 06:03:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-21
授权
授权
机译: 使用指示至少一种尖端到尖端的短路或泄漏,至少一种通孔倒角或泄漏,以及至少一种拐角短路或泄漏的非接触电测量来处理半导体晶片的方法,其中获得了这些测量值使用带束偏转的带电粒子束检查器从具有相应的尖端到尖端短,通孔倒角短和拐角短测试区域的单元中进行位移
机译: 一种使用一次带电粒子细束的阵列检查样品的方法,一种使用一次带电粒子细束的阵列检查样品的带电粒子束装置以及一种用于检查样品的多柱显微镜
机译: 一种用于修改多个辐射束特性的组件,光刻设备,一种用于修改多个辐射束特性的方法以及一种器件制造方法