公开/公告号CN103456646B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 中国电子科技集团公司第十研究所;
申请/专利号CN201310399982.1
申请日2013-09-05
分类号H01L21/48(20060101);H01Q1/22(20060101);
代理机构51121 成飞(集团)公司专利中心;
代理人郭纯武
地址 610036 四川省成都市金牛区茶店子东街48号
入库时间 2022-08-23 09:41:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-15
授权
授权
2014-01-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/48 申请日:20130905
实质审查的生效
2013-12-18
公开
公开
机译: 低温共烧陶瓷材料,低温共烧陶瓷体和多层陶瓷基板
机译: 低温共烧陶瓷材料,低温共烧陶瓷体和多层陶瓷基板
机译: 具有隧道结构的电子纳米组件位于基板上的集成多层组件中,该基板具有用于纳米电极的垂直纳米通道孔