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电子器件、SRAM单元和SRAM阵列

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本文中公开了一种电子器件、SRAM单元和SRAM阵列。该电子器件包括位线和互补位线、交叉耦合的第一反相器和第二反相器、耦合在互补位线与第一反相器之间的第一传输门、以及耦合在位线与第二反相器之间的第二传输门。电子器件还包括交叉耦合的第三反相器和第四反相器、耦合在互补位线与第三反相器之间的第三传输门、以及耦合在位线与第四反相器之间的第四传输门。第一、第二和第四反相器在电源节点与参考节点之间被供电，并且第三反相器在浮置节点与参考节点之间被供电。第一传输门和第三传输门并联耦合。

著录项

公开/公告号CN207602229U

专利类型实用新型
公开/公告日2018-07-10

原文格式PDF
申请/专利权人意法半导体国际有限公司;
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申请/专利号CN201721531527.2
发明设计人 H·拉瓦特;A·帕沙克;
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申请日2017-11-16
分类号G11C11/417(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华;吕世磊
地址荷兰阿姆斯特丹
入库时间 2022-08-22 05:38:34

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2018-07-10

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