空穴型半导体异质结霍尔棒

摘要

本实用新型公开了空穴型半导体异质结霍尔棒。其包含非掺杂GaAs/AlGaAs异质结基片，其由下到上依次包括非掺杂GaAs衬底、非掺杂AlGaAs层和表面非掺杂GaAs盖帽层；第一至第五欧姆接触电极，均依次穿过表面非掺杂GaAs盖帽层和非掺杂AlGaAs层，进入非掺杂GaAs衬底至少5nm，第三、第五欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线垂直；第二、第三欧姆接触电极之间的连线与第一、第四欧姆接触电极之间的连线平行；绝缘层，其覆盖表面非掺杂GaAs盖帽层、第一至第五欧姆接触电极；顶栅极，其设置在绝缘层上，并且其水平投影与第一至第五欧姆接触电极均有交叠。