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一种单片集成二维磁场传感器

摘要

本实用新型公开了一种单片集成二维磁场传感器及其制作工艺,所述传感器包括第一硅片(1)和第二硅片(2),在第一硅片(1)上设置有用于检测二维磁场的四个硅磁敏三极管,其中两个硅磁敏三极管在xy平面内沿y轴、相反磁敏感方向对称设置,用于x轴方向磁场分量的检测,另两个硅磁敏三极管在xy平面内沿x轴、相反磁敏感方向对称设置,用于y轴方向磁场分量的检测;并且,在第一硅片上、每个硅磁敏三极管周围制作有隔离环(11)。本实用新型所述单片集成二维磁场传感器结构简单,实现了二维磁场的检测,芯片实现了小型化和单片集成化。

著录项

  • 公开/公告号CN207037051U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2018-02-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 黑龙江大学;

    申请/专利号CN201721039820.7

  • 发明设计人 赵晓锋;金晨晨;邓祁;温殿忠;

    申请日2017-08-18

  • 分类号G01R33/02(20060101);

  • 代理机构11426 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人刘冬梅;路永斌

  • 地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号

  • 入库时间 2022-08-22 04:04:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-23

    授权

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