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公开/公告号CN207037051U
专利类型实用新型
公开/公告日2018-02-23
原文格式PDF
申请/专利权人 黑龙江大学;
申请/专利号CN201721039820.7
发明设计人 赵晓锋;金晨晨;邓祁;温殿忠;
申请日2017-08-18
分类号G01R33/02(20060101);
代理机构11426 北京康思博达知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘冬梅;路永斌
地址 150080 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路74号
入库时间 2022-08-22 04:04:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-23
授权
机译: 单片集成差分磁场传感器设备,具有一层可渗透材料,该材料覆盖平行于基板的两个磁场传感器元件
机译: 用于磁场传感器的单片集成霍尔元件
机译: 磁场测量装置。 -将RMS转换器和磁场传感器单片集成在Silicon @芯片上
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成2D磁场传感器的制造技术及其特性研究
机译:基于MEMS技术的单片集成3D磁场传感器的研究
机译:使用基于BIG / GGG结构的二维磁光子晶体平板波导的灵敏磁场传感器
机译:单片集成磁场传感器系统
机译:扭曲晶圆键合:一种新技术,可将所有III-V化合物单片集成到(光电)电子设备中。
机译:基于硅磁敏晶体管的单片集成二维磁场传感器的制造技术和特性研究
机译:晶圆融合:一种用于光电器件制造和单片集成的新技术