公开/公告号CN206624942U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-11-10
原文格式PDF
申请/专利权人 山东天岳先进材料科技有限公司;
申请/专利号CN201621396559.1
申请日2016-12-19
分类号C30B23/00(20060101);C30B29/36(20060101);
代理机构37205 济南舜源专利事务所有限公司;
代理人苗峻
地址 250000 山东省济南市高新区新宇路西侧世纪财富中心AB座1106-6-01
入库时间 2022-08-22 03:11:07
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-10
授权
授权
机译: 物理气相传输法生长碳化硅单晶并原位退火碳化硅单晶的工艺
机译: 物理气相传输法生长碳化硅单晶并在原位退火碳化硅单晶的过程
机译: 物理气相传输法生长碳化硅单晶并在原位退火碳化硅单晶的过程