Indium antimonides; Films; Gallium arsenides; Interfaces; Layers; Magnetic fields; Magnetoresistance; Mobility; Models; Substrates; Temperature; Reprints; Transport properties; N type semiconductors; Chemical reactions; Hall effect; Epitaxial growth; Carr;
机译:通过金属有机化学气相沉积在GaAs上生长的InSb薄膜的光学和传输性质
机译:金属有机化学气相沉积低温生长的相变InSbTe薄膜的结构特性
机译:第一InSb层的沉积条件对通过InSb双层两步生长法生长的n型InSb薄膜电性能的影响
机译:低压金属化学气相沉积在GaAs上生长的INSB外延薄膜的表面和界面性质
机译:通过金属有机化学气相沉积法生长的氮化铟,氮化铟镓合金的光学,结构和传输性能。
机译:硫化时间对电化学沉积铜锌锡硫化薄膜性能的影响
机译:第一Insb层沉积条件对两步生长法制备的n型Insb薄膜电性能的影响Insb双层膜
机译:Gaas衬底上金属有机化学气相沉积生长Insb层的异常霍尔效应