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公开/公告号CN206595979U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-10-27
原文格式PDF
申请/专利权人 嘉兴技师学院;
申请/专利号CN201720034617.4
发明设计人 吴钰;陈洁;钱琴梅;姚云;周哲杰;吴忠鱼;
申请日2017-01-12
分类号
代理机构杭州九洲专利事务所有限公司;
代理人翁霁明
地址 314036 浙江省嘉兴市经济开发区文博路793号
入库时间 2022-08-22 03:08:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-12-27
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K19/0175 授权公告日:20171027 终止日期:20190112 申请日:20170112
专利权的终止
2017-10-27
授权
机译: 光接收电路和光电耦合器隔离电路
机译: 用光电耦合器隔离电路
机译: 带有光电耦合器的隔离电路
机译:分离光电耦合器的LED和光电晶体管中质子损伤的方法
机译:具有集成等离激元光电耦合器的电荷敏感型红外光电晶体管
机译:可见光对并五苯光电耦合器/光电晶体管性能的影响
机译:超宽带绝热耦合器作为2÷32 PLC分离器的构建块
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:硅光电三极管
机译:3架3架晶体管光电耦合器建模方法,温度依赖性
机译:透水基三极管,对置栅 - 源晶体管和异质结构发射弹道场效应晶体管比较电性能的数值模拟