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一种在直拉单晶制造法中增加单晶尾部氧含量的结构

摘要

本实用新型涉及一种在直拉单晶制造法中增加单晶尾部氧含量的结构,包括用于制作单晶硅的石墨坩埚和设置在石墨坩埚内的石英坩埚,所述石墨坩埚的内表面在与石英坩埚的接触面之间设置凸块。本实用新型的有益效果是能使熔汤接触到石英坩埚的面积比常规工艺的大,从而使得较多的氧能从石英坩埚进入熔汤内,提高单晶中部至尾部的氧含量,确保其机械强度。

著录项

  • 公开/公告号CN206376030U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-08-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海申和热磁电子有限公司;

    申请/专利号CN201621318943.X

  • 发明设计人 沈杨宇;贺贤汉;小暮康弘;

    申请日2016-12-02

  • 分类号C30B29/06(20060101);C30B15/12(20060101);

  • 代理机构31203 上海顺华专利代理有限责任公司;

  • 代理人顾雯

  • 地址 200444 上海市宝山区宝山城市工业园区山连路181号

  • 入库时间 2022-08-22 02:48:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-01-10

    专利权的转移 IPC(主分类):C30B29/06 登记生效日:20191224 变更前: 变更后: 申请日:20161202

    专利申请权、专利权的转移

  • 2017-08-04

    授权

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