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具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构

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本发明涉及具有气隙沟槽隔离区的集成电路结构和相关设计结构。一种形成集成电路结构的方法包括：形成延伸穿过浅沟槽隔离区（STI）并进入衬底中的通气过孔；选择性地去除所述通气过孔的底部处的所述衬底的暴露部分，以在所述衬底内形成开口，其中所述衬底内的所述开口邻接所述STI的底面或侧壁中的至少一者；以及密封所述通气过孔以在所述衬底内的所述开口中形成气隙。

著录项

公开/公告号CN103367231B

专利类型发明专利
公开/公告日2016-06-01

原文格式PDF
申请/专利权人国际商业机器公司;
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申请/专利号CN201310106471.6
发明设计人 R·A·卡米洛-卡斯蒂罗;J·S·邓恩;D·L·哈拉梅;A·K·斯塔珀;
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申请日2013-03-29
分类号H01L21/762(20060101);H01L27/02(20060101);H01L29/737(20060101);
代理机构11247 北京市中咨律师事务所;
代理人于静;张亚非
地址美国纽约
入库时间 2022-08-23 09:40:28

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-03-17

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L21/762 授权公告日:20160601 终止日期:20190329 申请日:20130329

专利权的终止
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/762 登记生效日:20171103 变更前: 变更后: 申请日:20130329

专利申请权、专利权的转移
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/762 登记生效日:20171103 变更前: 变更后: 申请日:20130329

专利申请权、专利权的转移
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171103 变更前: 变更后: 申请日:20130329

专利申请权、专利权的转移
2017-11-24

专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/762 登记生效日:20171103 变更前: 变更后: 申请日:20130329

专利申请权、专利权的转移
2016-06-01

授权

授权
2016-06-01

授权

授权
2016-06-01

授权

授权
2013-11-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/762 申请日:20130329

实质审查的生效
2013-11-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20130329

实质审查的生效
2013-11-20

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/762 申请日:20130329

实质审查的生效
2013-10-23

公开

公开
2013-10-23

公开

公开
2013-10-23

公开

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