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一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种基于线性光耦隔离的MOSFET/IGBT高速驱动电路,该高速驱动电路通过在线性光耦的集电极或射极使用变阻结构电路,在光耦的输出回路上采用动态电压比较电路,提高驱动信号的传输速度和上升下降沿的陡度,从而提高驱动电路的性能。本实用新型具有高速驱动速度快,体积小等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN206180991U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 成都信息工程大学;

    申请/专利号CN201620975251.6

  • 发明设计人 张雪原;刘俊灵;

    申请日2016-08-29

  • 分类号H03K17/567(20060101);H03K17/687(20060101);H03K17/78(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人裴娜

  • 地址 610225 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路一段24号

  • 入库时间 2022-08-22 02:30:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-17

    授权

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