首页> 中国专利> 一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置

一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法及抛光装置

摘要

一种控制硅片抛光表面微粗糙度的方法,该方法包括以下步骤:(1)将硅片装在抛光机的抛光头上对硅片表面进行抛光;(2)用超纯氮气吹硅片表面,控制超纯氮气到达硅片表面的气压为0.1~50kpa,持续时间为0.1~10秒;(3)用去离子水冲洗硅片表面。一种控制硅片抛光表面微粗糙度的抛光装置,该抛光装置包括旋转大盘、抛光垫、抛光头、抛光液输送装置及清洗槽,抛光垫贴设在旋转大盘上,抛光头设置在抛光垫的上方,抛光液输送装置设置在旋转大盘的一侧,所述清洗槽的喷水管上连接有超纯氮气输出装置。本发明可以有效地降低精抛过程中硅片的表面粗糙度即光雾度数值,从而可以制造出高洁净度的硅片,提高产品的成品率。

著录项

  • 公开/公告号CN103144011B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 有研半导体材料有限公司;

    申请/专利号CN201110402331.4

  • 申请日2011-12-06

  • 分类号

  • 代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司;

  • 代理人郭佩兰

  • 地址 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧

  • 入库时间 2022-08-23 09:40:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-18

    授权

    授权

  • 2015-07-01

    专利申请权的转移 IPC(主分类):B24B 29/02 变更前: 变更后: 登记生效日:20150611 申请日:20111206

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-06-25

    著录事项变更 IPC(主分类):B24B 29/02 变更前: 变更后: 申请日:20111206

    著录事项变更

  • 2013-07-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):B24B 29/02 申请日:20111206

    实质审查的生效

  • 2013-06-12

    公开

    公开

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