退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN206114488U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-04-19
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院光电研究院;
申请/专利号CN201620734229.2
发明设计人 谢婉露;吴晓斌;陈进新;王魁波;张罗莎;罗艳;周翊;王宇;崔惠绒;
申请日2016-07-13
分类号G01N17/00(20060101);G01J1/42(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人乔东峰
地址 100094 北京市海淀区邓庄南路9号
入库时间 2022-08-22 02:24:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-04-19
授权
机译: 微波辐照测试装置,以及用于该辐照测试装置的辐照测试方法和辐照测试程序
机译: 用于检测极紫外光源装置中的辐照度分布的方法和用于极紫外光源装置的检测装置
机译: 极紫外光源装置中的辐照度分布的检测方法及极紫外光源装置
机译:能量为25 MeV的质子辐照对小鼠角膜上皮染色体装置的损伤和后辐照的影响
机译:改进了PHITS中的辐射损伤计算,并改进了宽能量范围内质子和重离子辐照的铜和钨的测试
机译:极紫外自由电子激光辐照下无机材料损伤阈值的波长依赖性
机译:L GEV AR离子在电子能量损失和辐照剂中辐照的损伤期反应依赖性的研究
机译:屈肌腱损伤的处理:临床决策支持系统和两点鉴别测试装置的设计与实现
机译:理解中风血栓切除术装置的径向力以最小化血管壁损伤:与模拟MCA血管直径的激光切割支架检索相比新型编织血液切除术辅助装置产生的径向力的机械台阶测试
机译:半导体中的辐射损伤n1)辐照增强在硅中的扩散2)辐照半导体中的存储能量n3)辐照半导体中的缺陷迁移率