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脉宽调制驱动IGBT/MOSFET器件的装置

摘要

本实用新型公开了一种脉宽调制驱动IGBT/MOSFET器件的装置,包括:MCU控制模块,其设置有外围信号检测模块及PPG驱动模块;过零电路,其分别接于电源输入端与外围信号检测模块;整流电路,其接于电源输入端,整流电路后端依序接有滤波电路、LC震荡电路及MOS管,LC震荡电路通过同步硬件电路接于MCU控制模块,MOS管通过IGBT/MOSFET驱动电路接于MCU控制模块的PPG驱动模块。本实用新型通过单片机采集电网的过零信号,单片机根据系统加热功率调整脉宽驱动宽度,在电网波峰的时候驱动脉宽最大,波谷的时候驱动脉宽最小从而达到功率、台阶及温升平衡。

著录项

  • 公开/公告号CN206042416U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2017-03-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州信多达电器有限公司;

    申请/专利号CN201621001263.5

  • 发明设计人 高新忠;甘嵩;冯祥远;徐庆荣;

    申请日2016-08-30

  • 分类号H05B6/06(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 311228 浙江省杭州市萧山区临江工业园区经六路2977号

  • 入库时间 2022-08-22 02:18:40

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-03-22

    授权

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