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金卫; 郭戍生;
IGBT; MOSFET; 半导体器件; 测试;
机译:基于6.5 kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5 kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC-MOSFET / SiC-JBS的大功率中压转换器的设计比较二极管
机译:电机驱动器和功率器件:介绍随着IGBT和MOSFET的问世而经历了技术创新的电机驱动器电路的最新趋势,以及伴随它们的功率器件的技术前景。
机译:与Si IGBT模块相比,大功率SiC MOSFET模块的性能评估
机译:基于6.5kV Si-IGBT / Si-PiN二极管,6.5kV Si-IGBT / SiC-JBS二极管和10kV SiC MOSFET / SiC-JBS二极管的大功率中压转换器的设计比较
机译:适用于大功率MOSFET和IGBT的智能栅极驱动器。
机译:用IGBT H桥和双向降压对低成本4G器件进行控制的压电能量收集
机译:大功率IGBT高通量,全自动DBC模块筛选测试仪
机译:用于脉冲功率应用的mOsFET和IGBTs的评估
机译:三相转换器同时打开电源开关的MOSFET和IGBT并以相对于IGBT的延迟关闭MOSFET
机译:开关电路采用与电感器串联的电子器件,以避免换向击穿,并通过使用IGBT器件代替MOSFET来扩展开关电路的电流范围
机译:包括IGBT和具有并联连接的开关和常开型MOSFET的恒压电路的半导体器件
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