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公开/公告号CN205942498U
专利类型实用新型
公开/公告日2017-02-08
原文格式PDF
申请/专利权人 成都信息工程大学;
申请/专利号CN201620900368.8
发明设计人 陈腾;陈祝;谢蓉芳;
申请日2016-08-18
分类号
代理机构成都信博专利代理有限责任公司;
代理人刘凯
地址 610225 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路1段24号
入库时间 2022-08-22 02:09:57
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-09-04
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G05F1/565 授权公告日:20170208 终止日期:20170818 申请日:20160818
专利权的终止
2017-02-08
授权
机译: 适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
机译: 带隙基准电压源,具有改善的输出基准电压
机译: 具有负温度电阻的低压工作,低输出带隙基准电压源电路
机译:输出电压低于1 V的无电阻CMOS带隙基准电压源
机译:用于DC-DC转换器的具有可调输出的超级性能带隙基准电压源
机译:180 nm CMOS上可调整的精密带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:最小电源电压为0.8V的基于运算放大器的低功耗CMOS带隙基准电压源的设计与实现
机译:具有可调谐带隙的人造氧化物异质结构。