公开/公告号CN205828172U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-12-21
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉华易科技有限公司;
申请/专利号CN201620663989.9
申请日2016-06-29
分类号
代理机构
代理人
地址 430205 湖北省武汉市东湖新技术开发区流芳园横路6号光谷电子工业园7栋
入库时间 2022-08-22 01:59:52
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-21
授权
授权
机译: 在深沟槽电容器上方产生有源区的步骤包括在半导体衬底中形成电容器,结构化和蚀刻以形成有源区,以及湿法蚀刻电容器和有源区。
机译: 半有源/无源功率因数校正装置,用于校正电源和例如交流电源之间的功率因数。电容器,具有断流器,当电位差或电流超过电压或强度阈值时,将触发其闭合
机译: 具有有源电感电容(LC)振荡电路的电感式接近开关,线圈和电容器作为交流电(AC)上的振荡器,其条件用于导出输出信号以确定路径和/或位置