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镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法

摘要

一种镶嵌式内连导线上形成选择性铜膜的制造方法,提供一半导体基底;依序形成金属层及介电层;形成多数个镶嵌式开口于所述介电层中;顺应性形成阻障金属/铜晶种层于所述介电层表面上;去除所述阻障金属/铜晶种层位于所述介电层上非镶嵌式开口部分,仅留下所述阻障金属/铜晶种层位于所述镶嵌式开口的侧壁与底部的部分;施行化学电镀程序,在所述阻障金属/铜晶种层的表面上形成铜金属层,用以填满所述镶嵌式开口;施行平坦化程序。有利于化学机械研磨的平坦化处理,缩短施行化学机械研磨所需的时间,并且避免研磨后碟化的问题发生的功效。

著录项

  • 公开/公告号CN1210782C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2005-07-13

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 联华电子股份有限公司;

    申请/专利号CN02100996.1

  • 发明设计人 黄昭元;

    申请日2002-01-11

  • 分类号H01L21/768;H01L21/285;H01L21/3205;

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘朝华

  • 地址 台湾省新竹科学工业园区

  • 入库时间 2022-08-23 08:57:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-03-10

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

    专利权的终止(未缴年费专利权终止)

  • 2005-07-13

    授权

    授权

  • 2003-10-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-07-23

    公开

    公开

  • 2002-05-08

    实质审查的生效

    实质审查的生效

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