缓变开关特性的沟槽栅超结MOSFET器件

摘要

本实用新型提供一种缓变开关特性的沟槽栅超结MOSFET器件，包括至少一组横向并列连接的双元胞结构；双元胞结构中，单个元胞包括：N+型衬底背面淀积漏极金属形成MOSFET器件的漏极，N+型衬底上生长有N‑型外延层；在元胞的N‑型外延层两侧自顶部向下形成有P型柱深槽结构；在元胞的N‑型外延层顶部中间形成有沟槽栅；在沟槽栅的侧壁和底部形成有栅氧层；在元胞的N‑型外延层顶部沟槽栅侧壁栅氧层与P型柱深槽结构之间形成有P型体区；双元胞结构中单个元胞内沟槽栅左右两侧的P型体区深度不同；P型体区顶部形成有N+型源区；源极金属淀积在N‑型外延层顶部；源极金属与沟槽栅之间有介质层隔离。本实用新型可形成栅漏电容缓变的沟槽栅。