双极穿通半导体器件和制造这种半导体器件的方法

摘要

提供一种制造双极穿通半导体器件的方法，其中实施下列步骤：(a)提供具有第一和第二侧(15，17)的晶圆(1)，其中在第一侧(17)上设置具有恒定高掺杂浓度的第一导电类型的高掺杂层(34)，(b)在第一侧(15)上外延生长第一导电类型的低掺杂层(22)，(c)随后实施扩散步骤，通过该步骤在层(34，22)的间隔处形成扩散的间隔区域(32)，(d)随后在第一侧(15)上形成至少一个第二导电类型的层，(e)随后在第二侧(17)上的高掺杂层(34)内减少晶圆厚度从而形成缓冲层(3)，其包含间隔区域(32)和高掺杂层的剩余部分，其中缓冲层(3)的掺杂分布曲线从高掺杂区域(36)的掺杂浓度平稳降低至漂移层(2)的掺杂浓度。