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公开/公告号CN205336145U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201521035748.1
发明设计人 吴青华;王磊;马小新;
申请日2015-12-11
分类号H02M7/483(20070101);H02M7/5387(20070101);
代理机构44245 广州市华学知识产权代理有限公司;
代理人罗观祥
地址 510075 广东省广州市越秀区先烈中路83号华南理工大学越秀专利技术服务中心
入库时间 2022-08-22 01:27:44
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-06-22
授权
机译: 带有半桥级联的集成III型氮化物D型HFET
机译: 具有级联双半桥的集成III型氮化物D模式HFET
机译:级联半桥光伏馈电多电平逆变器的漏电流和共模电流最小化分析
机译:基于半桥级联多电平逆变器的串联有源电力滤波器
机译:级联对称串联半桥单元多电平逆变器
机译:组件数量减少的级联多电平逆变器的背靠背改进型T型半桥模块
机译:光伏应用级联模块化多电平逆变器的实时建模和在环仿真
机译:基于人工神经网络的级联多电平逆变器实时闭环控制算法。
机译:基于半桥模块的三相混合多电平逆变器
机译:用于增强型GaN FET的新型半桥栅极驱动器,Lm5113型,宽温度范围