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发光二极管芯片、发光装置及发光二极管的晶圆级结构

摘要

本实用新型揭示了一种发光二极管芯片、发光装置及发光二极管的晶圆级结构。所述发光二极管芯片,包括:发光二极管结构层,具有第一面以及相对于所述第一面的第二面;两个电极,配置于第一面上;以及成长基底,包括面向所述发光二极管结构层的第三面、相对于所述第三面的第四面、以及连接在所述第三面与所述第四面之间的侧面,其中,所述成长基底为可透光且设置于所述发光二极管结构层的所述第二面上,所述第四面的面积大于所述第三面的面积,且从第三面至第四面的方向上,所述成长基底的所述侧面的至少一部分为倾斜或弧状。与现有技术相比,本实用新型具有防止脱层,结构可靠;显著提高发光效率及光输出的均匀性;且节省成本、改善产率等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN205004349U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-01-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 璨圆光电股份有限公司;

    申请/专利号CN201520355844.8

  • 发明设计人 陈俊玮;李仁智;潘锡明;

    申请日2015-05-28

  • 分类号H01L33/20(20100101);H01L33/00(20100101);

  • 代理机构苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人杨林洁

  • 地址 中国台湾桃园县龙潭乡龙潭科技园区龙园一路99号

  • 入库时间 2022-08-22 01:08:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-11-16

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L33/20 登记生效日:20161024 变更前: 变更后: 申请日:20150528

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-01-27

    授权

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