一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波放大器

摘要

本实用新型公开了一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，包括：金属底板；所述金属底板的上表面设置有PCB板和热沉；所述PCB板上设置有第一功率放大器；所述热沉上设置有第二功率放大器；所述第二功率放大器的输入端与所述第一功率放大器的输出端连接；其中，所述第一功率放大器为GaAs功率放大器，所述第二功率放大器为LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器，结合GaAs和LDMOS/GaN两种器件的优点，使得所述GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波功率放大器的整体电路具有高频、高增益、高线性度、大功率、高效率等特点，且集成度高，封装成本低，应用更方便。