包含水平及垂直部分的镶嵌型磁性隧道结结构及其形成方法

摘要

本发明揭示一种制造半导体装置的方法，其包括：在装置衬底上形成金属层；形成与所述金属层接触的通孔；及在所述通孔上方添加电介质层。所述方法进一步包括：蚀刻所述电介质层的一部分以形成沟槽区域；及将垂直磁性隧道结MTJ结构沉积于所述沟槽区域内，类似于镶嵌结构。所述MTJ结构具有水平部分及至少一个垂直部分；举例来说，其是V形的或L形的。