法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01P3/06 授权公告日:20150708 终止日期:20161220 申请日:20141220
专利权的终止
2015-07-08
授权
授权
机译: 激光二极管或LED包括辐射产生层,在该辐射产生层上施加了p型接触层和金属化层,接触层由铟镓半导体或铝铟镓半导体组成
机译: 辐射辐射型半导体本体,辐射辐射型半导体本体的制造方法以及辐射辐射型半导体元件
机译: 辐射辐射型半导体本体,辐射辐射型半导体本体的制造方法以及辐射辐射型半导体元件