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公开/公告号CN204251707U
专利类型实用新型
公开/公告日2015-04-08
原文格式PDF
申请/专利权人 华东交通大学;
申请/专利号CN201420655891.X
发明设计人 徐先锋;柴灵芝;
申请日2014-11-06
分类号
代理机构北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人叶红
地址 330000 江西省南昌市昌北区经济技术开发区双港东大街808号
入库时间 2022-08-22 00:32:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-12-21
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C16/455 授权公告日:20150408 终止日期:20151106 申请日:20141106
专利权的终止
2015-04-08
授权
机译: 一种通过ald / cvd工艺结合快速热处理工艺沉积薄膜的方法
机译: 等离子体CVD沉积设备和用于制备涂覆有CVD膜的塑料容器的方法
机译: 一种新颖的设备和一种在MCVD工艺中沉积过程中清除和去除烟灰的方法
机译:射频溅射和射频PECVD共沉积制备的Cu-C纳米复合材料的微粗糙度参数表征
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:添加剂对快速CVD法制备的抗氧化碳/碳复合材料力学性能的影响
机译:低压快速热化学气相沉积(LPRTCVD)制备的具有超薄氮氧化硅薄膜的MOSFET的噪声分析
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机译:mOCVD法制备的TiO2薄膜生长参数的影响影响因素介绍TiO2薄膜沉积物的制备mOCVD
机译:制备陶瓷复合材料的CVD工艺建模与仿真