公开/公告号CN1216124C
专利类型发明授权
公开/公告日2005-08-24
原文格式PDF
申请/专利权人 北京有色金属研究总院;有研稀土新材料股份有限公司;
申请/专利号CN02116896.2
申请日2002-04-24
分类号C09K11/78;
代理机构北京北新智诚知识产权代理有限公司;
代理人程凤儒
地址 100088 北京市新街口外大街2号
入库时间 2022-08-23 08:57:39
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-18
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C09K 11/78 授权公告日:20050824 终止日期:20170424 申请日:20020424
专利权的终止
2013-08-28
专利权的转移 IPC(主分类):C09K 11/78 变更前: 变更后: 登记生效日:20130805 申请日:20020424
专利申请权、专利权的转移
2013-08-28
专利权的转移 IPC(主分类):C09K 11/78 变更前: 变更后: 登记生效日:20130805 申请日:20020424
专利申请权、专利权的转移
2005-08-24
授权
授权
2005-08-24
授权
授权
2004-09-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-09-29
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-11-05
公开
公开
2003-11-05
公开
公开
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机译: 发光二极管及其制造方法,集成的发光二极管及其制造方法,生长基于氮化物的III-V族化合物半导体的方法,用于生长基于氮化物的III-V族化合物,半导体的材料源电池单元,发光二极管背光源,发光二极管照明装置,发光二极管显示器和电子仪器,电子装置及其制造方法
机译: 发光材料的辐射检测器,陶瓷制造方法的添加剂以及由发光物质组成的陶瓷用稀土金属氧硫化物发光材料
机译: 氮化物半导体器件及其基材,一种形成含有稀土元素的氮化物层的方法,以及红色发光器件和制造方法的方法