公开/公告号CN203722595U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-07-16
原文格式PDF
申请/专利权人 快捷半导体(苏州)有限公司;快捷半导体公司;
申请/专利号CN201320709076.2
申请日2013-11-11
分类号
代理机构北京派特恩知识产权代理有限公司;
代理人武晨燕
地址 215021 江苏省苏州市苏州工业园区苏桐路1号
入库时间 2022-08-22 00:11:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-11
避免重复授予专利权 IPC(主分类):H03K17/687 授权公告日:20140716 放弃生效日:20170711 申请日:20131111
避免重复授权放弃专利权
2014-07-16
授权
授权
机译: 半导体器件具有形成在公共衬底上的高压晶体管阱和低压晶体管阱,所述高压晶体管阱和低压晶体管阱通过隔离结构而分开,所述隔离结构将初始深度延伸到衬底中
机译: 晶体管,高压晶体管以及具有该高压晶体管的显示驱动器IC
机译: 具有高压晶体管的晶体管,高压晶体管和显示驱动器IC