退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN203673830U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-06-25
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201320115376.8
发明设计人 S·马尼帕特鲁尼;D·E·尼科诺夫;I·A·扬;
申请日2013-03-14
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人刘瑜
地址 美国加利福尼亚
入库时间 2022-08-22 00:09:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-25
授权
机译: 使用I-III-VI2复合半导体的磁致电阻元件,制造所述磁致电阻元件的方法以及在所述磁致电阻元件中使用的磁存储装置和自旋晶体管
机译: 用于解旋旋磁粒子的自旋的方法和装置
机译: 制造磁致电阻元件的方法和装置,控制磁致电阻元件制造的软件和系统,用于估计磁致电阻元件的电阻值的软件以及计算机系统
机译:用于进行三维自旋特定电化学的磁磁装置
机译:域壁 - 磁隧道结自旋轨道扭矩装置和用于内存计算的电路
机译:用于自旋极化电子驱动的全息显示器的亚微米磁光空间光调制装置
机译:加速微磁仿真并应用于自旋扭矩装置
机译:基于3D和4F磁离子的有效旋转1/2磁绝缘子的磁性研究=基于磁3D和4F离子的有效自旋-1 / 2磁隔离器的磁检验
机译:利用单自旋磁强法对薄膜超导体的局部磁响应进行实空间探测
机译:量子自旋系统的动态平均场理论:解的测试 对于磁有序状态
机译:顺磁自旋绝缘子中核磁自旋晶格弛豫方程的数值解