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公开/公告号CN203644921U
专利类型实用新型
公开/公告日2014-06-11
原文格式PDF
申请/专利权人 华南理工大学;
申请/专利号CN201320846891.3
发明设计人 章秀银;王凯旭;段文;赵小兰;胡斌杰;
申请日2013-12-20
分类号
代理机构广州粤高专利商标代理有限公司;
代理人何淑珍
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号
入库时间 2022-08-22 00:08:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-02
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01P5/16 授权公告日:20140611 终止日期:20161220 申请日:20131220
专利权的终止
2014-06-11
授权
机译: 通过功函数调整制造基于鳍片的分栅高漏电压晶体管
机译: 通过功函数调整制造鳍片式分栅高漏电压晶体管
机译: 低温使用的MOS集成电路的构造-具有带低功函数的栅电极的耗尽型晶体管和使用高功函数材料的增强器件
机译:通过将具有低和高功函数的金属堆叠相互扩散制成的金属门的功函数可控性
机译:最近的功能性环氧树脂结构和物理性质II高性能,液晶环氧树脂的高功分 -
机译:具有分子内配位相互作用的二功分核苷酸:合成和结构二(4,6-二甲基-2-嘧啶基)雷纳德
机译:V FB INF>具有高功函数金属栅极和低温氧气的滚动,实现PMOS带边缘功函数
机译:使用通用有功功率滤波器消除电压谐波并补偿无功功率。
机译:慢性阻塞性肺病患者耐力循环测功的特征和决定因素以及六分钟步行距离
机译:具有滑动模式控制的单相逆变器和单相串联有功功率滤波器的研究
机译:具有高驱动应力和功输出的磁记忆合金的磁场诱导相变