应用于高速并行光传输的大耦合对准容差半导体激光芯片及其光电器件

摘要

本实用新型揭示了大耦合对准容差高速半导体激光芯片及其光电器件，芯片由半导体有源区及半导体无源区构成，有源区上设置有半导体激光器，有源区的电极上连接有激光驱动和调制器，所述半导体无源区由无源光波导构成。光电器件为传输速率为100Gb/s或400Gb/s的光电器件。本实用新型的有益效果主要体现在：无需制约于解理工艺，可根据所需激光器芯片的调制带宽去设计相应的半导体激光器有源区的长度以减小寄生参数，从而提高激光器芯片的调制带宽，通过引入具有光场模式转换功能的无源光波导增长整个激光器芯片的长度，可采用标准半导体工艺制成，对准光耦合容差的增大也确保了激光器芯片的光耦合效率，具有尺寸小、功耗低、成本低、集成化程度高等优点。