用于外延沉积III-V材料层的反应腔

摘要

本实用新型涉及半导体制作技术设备，用于外延沉积III-V材料层的反应腔，包括：腔体；设置于所述腔体底部的加热器；设置于所述加热器上方的衬底托盘；以及设置于所述腔体顶部的喷淋头，所述反应腔还包括位移装置，以及设置于所述喷淋头与所述衬底托盘之间的吸热板；所述位移装置用于调整所述吸热板与喷淋头之间的距离以控制所述吸热板面向所述加热器一侧表面的温度，所述喷淋头向所述吸热板与所述衬底托盘之间所限定的反应区输出反应气体。本实用新型使喷淋头与吸热板之间的距离可调，使得反应气体的出气面温度可控。