公开/公告号CN103377883B
专利类型发明专利
公开/公告日2016-04-27
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201310153862.3
申请日2013-04-27
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 09:39:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2016-04-27
授权
授权
2013-11-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20130427
实质审查的生效
2013-10-30
公开
公开
机译: 具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局
机译: 具有密度梯度平滑的MOS阵列边缘的布局
机译: 用于半导体元件阵列的密度梯度的多阶段平滑的方法,具有在子阵列中布置具有密度梯度的单元组,其中每个单元的特征密度小于具有另一梯度的单元的特征密度