公开/公告号CN203251283U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-10-23
原文格式PDF
申请/专利权人 意法半导体研发(上海)有限公司;
申请/专利号CN201320136710.8
申请日2013-03-18
分类号
代理机构北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址 200241 上海市紫竹科学园紫海路88号
入库时间 2022-08-21 23:56:02
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-10-23
授权
授权
机译: 电子电路具有初级场效应晶体管,该晶体管具有电路点漏极,栅极,源极和体,当转换开关连接到两个主要输入时,电路点漏极和源极连接到电路点
机译: 用于制造集成电路的垂直双通道绝缘体上硅场效应晶体管,在成对的垂直半导体层,栅极氧化物和栅极源极以及漏极上分别具有源极,漏极和沟道区
机译: LCD面板的双向驱动电路,其第八晶体管的漏极和栅极连接到下一块的输出,第九晶体管的漏极连接到第二晶体管的源极和第六晶体管的栅极