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一种用于AMOLED 中的TFT工序中的结构

摘要

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种用于AMOLED中的TFT工序中的结构,包括玻璃基板,玻璃基板上依次覆盖有氧化物缓冲层和非晶硅层,非晶硅层为包含第一非晶硅层、NI原子区和第二非晶硅层的三层结构,所述NI原子区位于第一非晶硅层和第二非晶硅层之间与非晶硅层构成三明治结构。本实用新型的将非晶硅层和NI原子层做成三明治结构,在其中间用溅射设备将金属蒸镀、结晶化时,没有反应的金属会隐藏到内部,这样可以减少晶体管的漏电流,可制造出稳定、有效率的有源矩阵有机发光二极管用TFT。

著录项

  • 公开/公告号CN203242639U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2013-10-16

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川虹视显示技术有限公司;

    申请/专利号CN201320037633.0

  • 发明设计人 文东星;郎丰伟;

    申请日2013-01-24

  • 分类号

  • 代理机构成都宏顺专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人周永宏

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)科新西街168号

  • 入库时间 2022-08-21 23:55:43

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-10-16

    授权

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