公开/公告号CN202998637U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-06-12
原文格式PDF
申请/专利权人 中国原子能科学研究院;
申请/专利号CN201220625775.4
申请日2012-11-23
分类号
代理机构
代理人
地址 102413 北京市房山区北京市275信箱65分箱
入库时间 2022-08-21 23:48:51
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-12
授权
授权
机译: 横向磁场对光束束聚集区域的束调制装置和使用深度剂量调制装置的束流辐射治疗装置以及在束束上的剂量横向束流和束流调制的方法
机译: 横向磁场对光束束聚集区域的束调制装置和使用深度剂量调制装置的束流辐射治疗装置以及在束束上的剂量横向束流和束流调制的方法
机译: 用螺旋延伸的场线将初级磁场的场线束增强为场线密度的次级磁场的装置