高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构

摘要

本实用新型涉及一种高性能大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构，其特征在于它包括内引脚框架（4）以及框架散热片（6），所述内引脚框架（4）以及框架散热片（6）之间设置有导热绝缘片（5），所述内引脚框架（4）上安装有大电流VDMOS功率器件芯片（2），所述内引脚框架（4）以及框架散热片（6）的外部塑封有塑封体（3）。本实用新型由于使用内引脚框架以及框架散热片替代传统的框架，且内引脚框架以及框架散热片之间设置有导热绝缘片，使得该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有导热绝缘性能较好，因此该大电流VDMOS功率器件芯片绝缘封装结构具有能够保证产品高性能的优点。