公开/公告号CN202837616U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-03-27
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大族天成半导体技术有限公司;
申请/专利号CN201220367051.4
发明设计人 韩静;
申请日2012-07-27
分类号
代理机构
代理人
地址 100176 北京市经济技术开发区凉水河一街5号大族激光大厦二层
入库时间 2022-08-21 23:44:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-03-27
授权
授权
机译: 可以使来自上方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位与来自下方的半导体激光器单元的激光束的波长和相位相匹配的大功率半导体激光器阵列装置,该半导体激光器阵列装置的制造方法以及使用该装置的多波长激光发射装置半导体激光器阵列装置
机译: 高功率半导体激光器阵列装置,可以从上方匹配来自半导体激光器单元的激光束的波长和相位,以下是由半导体激光器单元制造的激光束的制造方法,以及使用这种方法的半导体激光器的应用半导体激光阵列装置
机译: 具有两个不同波长的半导体激光器,将激光束聚焦在不同厚度的基板上的物镜和减小聚焦激光束光斑像差的环形移相器的光学头