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一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法

摘要

本发明涉及基于固态纳米孔的分子或离子探测技术领域,尤其涉及一种氮化硼纳米孔传感器及其制造方法。氮化硼纳米孔传感器,其特征在于,包括基材,以及设置在基材上的氮化硼薄膜,所述氮化硼薄膜上设置有纳米孔,所述基材上设置有与所述纳米孔连通的通孔。本申请通过在原子层厚度的氮化硼薄膜上设置纳米孔,且经过处理后的氮化硼薄膜具有良好的亲水性,进而提高了纳米孔传感器的亲水性。

著录项

  • 公开/公告号CN103868969B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院物理研究所;

    申请/专利号CN201410051811.4

  • 发明设计人 周智;胡颖;单欣岩;陆兴华;

    申请日2014-02-14

  • 分类号G01N27/403(20060101);B82Y15/00(20110101);B82Y40/00(20110101);

  • 代理机构11390 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王艺

  • 地址 100190 北京市海淀区中关村南三街八号

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-07-06

    专利权的转移 IPC(主分类):G01N 27/403 登记生效日:20180615 变更前: 变更后: 申请日:20140214

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-05-04

    授权

    授权

  • 2016-05-04

    授权

    授权

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/403 申请日:20140214

    实质审查的生效

  • 2014-07-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N 27/403 申请日:20140214

    实质审查的生效

  • 2014-06-18

    公开

    公开

  • 2014-06-18

    公开

    公开

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