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Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices
Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices
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1.
Gate-AII-Around Nanowire Nanosheet FETs for Advanced, Ultra-Scaled Technologies
机译:
Gate-AII-Thers纳米线和纳米柱FET,用于先进的超缩放技术
作者:
A. Veloso
;
P. Matagne
;
D. Jang
;
T. Huynh-Bao
;
A. Chasin
;
E. Simoen
;
G. Eneman
;
A. De Keersgieter
;
H. Mertens
;
N. Horiguchi
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
GAA;
NW;
NS;
2.
Post-CMOS Compatible Silicon MEMS Nano-Tactile Sensor for Touch Feeling Discrimination of Materials
机译:
后CMOS兼容硅MEMS纳米触觉传感器,用于触摸材料的触摸感
作者:
H. Takao
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
LCE;
Touch Feeling Discrimination;
Materials;
3.
Fully-Depleted SOI Technology For High-Power RF Applications
机译:
全耗尽的高功率RF应用技术
作者:
T. V. Dinh
;
B. W. C. Hovens
;
M. Vroubel
;
I. Brunets
;
H. P. Tuinhout
;
L. F. Tiemeijer
;
N. Wils
;
G. T. Sasse
;
P. Grudowski
;
M. Raucoules-aime
;
S. Dal Toso
;
M. Cannella
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
High-Power RF Applications;
SOI;
delivering;
4.
CMOS-MEMS Microgravity Sensors and Their Application
机译:
CMOS-MEMS微匍匐传感器及其应用
作者:
K. Masu
;
K. Machida
;
D. Yamane
;
H. Ito
;
N. Ishihara
;
T. M. Chang
;
M. Sone
;
R. Shigeyama
;
T. Ogata
;
Y. Miyake
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
CMOS-MEMS Microgravity Sensors;
Their Application;
diagnosis;
5.
Discussion on the Figures of Merit of Identified Traps Located in the Si Film: Surface versus Volume Trap Densities
机译:
关于Si薄膜的识别陷阱的优点图的讨论:表面与体积陷阱密度
作者:
B. Cretu
;
B. Nafaa
;
E. Simoen
;
G. Hellings
;
D. Linten
;
C. Claeys
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Figures;
Merit;
Identified Traps Located;
MOSFET;
6.
Dielectric Science on Today's Devices
机译:
今天设备上的介电科学
作者:
D. Misra
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Today's Devices;
silicon;
logic;
7.
Gate Electrode Material Effect on Characteristics of Zirconium-Doped Hafnium Oxide High-k MOS Capacitors
机译:
栅电极材料对锆掺杂铪氧化铪高K MOS电容器的特性
作者:
W. S. Lin
;
L. Liu
;
Y. Kuo
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Characteristics;
Zirconium-Doped Hafnium Oxide High-k MOS Capacitors;
electrode material;
8.
Intrinsic Voltage Gain of Stacked GAA Nanosheet MOSFETs Operating at High Temperatures
机译:
在高温下运行的堆叠Gaa纳米片MOSFET的固有电压增益
作者:
W.F. Perina
;
V.C.P. Silva
;
J. A. Martino
;
P.G.D. Agopian
;
E. Simoen
;
A. Veloso
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Intrinsic Voltage Gain;
GAA;
MOSFETs;
9.
Junctionless Device Cross-section: A Key Aspect for Overcoming Boltzmann Tyranny
机译:
无连接器件横截面:克服Boltzmann暴政的关键方面
作者:
Abhinav Kranti
;
Manish Gupta
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Junctionless Device Cross-section;
Overcoming Boltzmann Tyranny;
JLT;
10.
Influence of the Biomaterial Thickness in a Dielectrically Charged Modulated Fringing Field Bio-Tunnel-FET Device
机译:
生物材料厚度在介电带电调制的交流场生物隧道装置中的影响
作者:
C. N. Macambira
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Biomaterial Thickness;
TCAD;
TFET;
11.
Graphitic Nanoporous Carbon Thin Films: Fabrication Method, Structural, Electrical and Gas Sensor Properties
机译:
石墨纳米孔碳薄膜:制造方法,结构,电气和气体传感器性能
作者:
O. M. Slobodian
;
Yu. V. Gomeniuk
;
A. V. Vasin
;
A. V. Rusavsky
;
P. N. Okholin
;
O. Yo. Gudymenko
;
O. Yu. Khyzhun
;
A. S. Nikolenko
;
P. M. Lytvyn
;
A. Korchovyy
;
R. Yatskiv
;
T. M. Nazarova
;
V. G. Stepanov
;
D. V. Kisyl
;
A. N. Nazarov
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Fabrication Method;
Structural;
Electrical;
Gas Sensor Properties;
12.
Impact of Gate Dielectric Material on Basic Parameters of MO(I)SHEMT Devices
机译:
栅极电介质材料对Mo(i)Shemt设备基本参数的影响
作者:
P. G. D. Agopian
;
G. J. Carmo
;
J. A. Martino
;
E. Simoen
;
N. Collaert
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Impact;
Gate Dielectric Material;
Basic Parameters;
13.
Influence of Current Redistribution in Switching Models for Perpendicular STT-MRAM
机译:
电流再分配在垂直STT-MRAM切换模型中的影响
作者:
S. Fiorentini
;
R.L. de Orio
;
S. Selberherr
;
J. Ender
;
W. Goes
;
V. Sverdlov
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Current Redistribution;
Switching Models;
Perpendicular STT-MRAM;
14.
Electrical Behavior of Effects LCE and PAMDLE of the Ellipsoidal MOSFETs in a Huge Range of High Temperatures
机译:
椭圆体MOSFET效果LCE和PAMDE在巨大的高温范围内的电气行为
作者:
E. H. S. Galembeck
;
S. P. Gimenez
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Effects LCE;
PAMDLE;
Ellipsoidal MOSFETs;
15.
On the Correlation Between Static and Low-Frequency Noise Parameters of Vertical Nanowire nMOSFETs
机译:
关于垂直纳米线NMOSFET的静态和低频噪声参数的相关性
作者:
E. Simoen
;
A. Chasin
;
P. Matagne
;
E. Rosseel
;
A. Hikavyy
;
R. Loo P. Favia
;
H. Bender
;
E. Vancoille
;
A. Veloso
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Correlation;
Static;
Low-Frequency Noise Parameters;
16.
Study of a Charge-Based Biosensor and Reconfigurability using ~(BE)SOI MOSFET
机译:
使用〜(是)SOI MOSFET研究基于电荷的生物传感器和重新配置性
作者:
L. S. Yojo
;
R. C. Rangel
;
K. R. A. Sasaki
;
J. A. Martino
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Charge-Based Biosensor;
Reconfigurability;
~(BE)SOI MOSFET;
17.
Advanced Transistors For High Frequency Applications
机译:
高频应用的先进晶体管
作者:
B. Parvais
;
U. Peralagu
;
A. Alian
;
A. Vais
;
L. Witters
;
Y. Mols
;
A. Walke
;
M. Ingels
;
H. Yu
;
V. Putcha
;
A. Khaled
;
R. Rodriguez
;
A. Sibaja-Hernandez
;
S. Yadav
;
R. ElKashlan
;
M. Baryshnikova
;
G. Mannaert
;
R. Alcotte
;
E. Simoen
;
S. E. Zhao
;
B. De Jaeger
;
D. M. Fleetwood
;
R. Langer
;
M. Zhao
;
P. Wambacq
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Advanced Transistors;
High Frequency Applications;
CMOS;
HEMTs;
18.
Low Temperature SmartCut? process for 3D Integration
机译:
低温SmartCut? 3D集成过程
作者:
W. Schwarzenbach
;
S. Reboh
;
A. Ghorbel
;
G. Gaudin
;
G. Besnard
;
F. Mazen
;
V. Loup
;
S. Maitrejean
;
L. Brunet
;
B.-Y. Nguyen
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
3D Integration;
SOI;
BOX;
19.
Readout Circuit Design Using Experimental Data of Line-TFET Devices
机译:
使用线路TFET器件的实验数据读数电路设计
作者:
W. Gon?alez Filho
;
R. S. Rangel
;
J.A. Martino
;
P.G.D. Agopian
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Line-TFET Devices;
small-signal amplification;
readout circuit;
20.
Proton-Irradiation Influence on Current Mirror Circuit Using Verilog-A Based on Experimental SOI FinFET Characteristics
机译:
基于实验SOI FinFET特性,使用Verilog-A对电流镜电路的质子辐照影响
作者:
B. R. de Sousa
;
P. G. D. Agopian
;
J. A. Martino
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Proton-Irradiation Influence;
Current Mirror Circuit Using Verilog-A Based;
Experimental SOI FinFET Characteristics;
21.
Study of Underlapped Finfets Behavior for a Radiation Sensing Purpose
机译:
辐射传感目的底部掺入鳍状行为的研究
作者:
W. S. Fonseca
;
G. D. Agopian
会议名称:
《Electrochemical Society;Symposium on Advanced CMOS-Compatible Semiconductor Devices》
|
2020年
关键词:
Underlapped FinFET;
Experimental electrical characterization;
Radiation sensors;
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