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公开/公告号CN202671709U
专利类型实用新型
公开/公告日2013-01-16
原文格式PDF
申请/专利权人 曾泽斌;
申请/专利号CN201220272138.3
发明设计人 曾泽斌;
申请日2012-06-11
分类号
代理机构杭州求是专利事务所有限公司;
代理人张法高
地址 310013 浙江省杭州市西湖区求是村67栋1单元702
入库时间 2022-08-21 23:40:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-15
避免重复授权放弃专利权 IPC(主分类):C30B15/02 授权公告日:20130116 放弃生效日:20150715 申请日:20120611
避免重复授权放弃专利权
2013-01-16
授权
机译: 一种选择性地将块状多晶硅或颗粒多晶硅在晶体生长室中提供的系统
机译: 用于传送块状多晶硅或颗粒状多晶硅的产品流的装置
机译:具有源/漏连接和附加多晶硅主体的多晶硅薄膜晶体管中的块状氧化物结构,用于模拟应用
机译:用于光伏(PV)应用的块状多晶硅生长
机译:用于太阳能电池的块状多晶硅的当前问题和未来问题
机译:非接触式快速测量用于太阳能电池生产的多晶硅和多晶硅主要电物理参数的方法和装置
机译:块状和薄膜多晶硅中的缺陷工程和发光特性
机译:多晶硅法的合成与表征多晶硅氧化物纳米粒子及其在废水中重金属修复的应用
机译:块状CMOS IC中用于栅极端周围泄漏电流补偿的第二层多晶硅结构
机译:多晶硅研究:低成本硅精炼技术展望和半导体级多晶硅的可用性到1988年