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一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法

摘要

一种响应增强型ZnO基光电导探测器及其制备方法,包括衬底以及在衬底上的ZnO薄膜,ZnO薄膜上覆有Ag纳米颗粒,在Ag纳米颗粒上沉积有叉指状Al电极,Ag纳米颗粒暴露在叉指状Al电极相邻叉指之间;或者ZnO薄膜上沉积有叉指状Al电极,在叉指状Al电极的相邻叉指之间填有Ag纳米颗粒,Ag纳米颗粒旋涂在ZnO薄膜上。本发明采用RF磁控溅射法在衬底上形成ZnO薄膜,然后旋涂Ag纳米颗粒或沉积叉指状Al电极,在Ag纳米颗粒上沉积叉指状Al电极或在形成叉指状Al电极的样品表面旋涂Ag纳米颗粒,即得响应增强型ZnO基光电导探测器。本发明利用Ag纳米颗粒的表面等离子体共振效应来提高探测器对光的吸收能力,使得到的光电导探测器在紫外光区域的响应度得到了大幅提升。

著录项

  • 公开/公告号CN103346171B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201310211921.8

  • 申请日2013-05-31

  • 分类号H01L31/0224(20060101);H01L31/18(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人蔡和平

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:05

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-04-27

    授权

    授权

  • 2013-11-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/0224 申请日:20130531

    实质审查的生效

  • 2013-10-09

    公开

    公开

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