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单基岛埋入型单圈单芯片正装静电释放圈封装结构

摘要

本实用新型涉及一种单基岛埋入型单圈单芯片正装静电释放圈封装结构,所述结构包括基岛(1)和引脚(2),所述基岛正面设置有芯片(4),所述芯片正面与引脚正面之间用金属线(5)相连接,所述基岛和引脚周围区域以及芯片和金属线外均包封有塑封料(6),所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔(7),所述小孔与引脚背面相连通,所述小孔内设置有金属球(9),所述金属球与引脚背面相接触,所述基岛与引脚之间设置有静电释放圈(10),所述静电释放圈正面与芯片正面之间通过金属线相连接。本实用新型的有益效果是:降低了制造成本,提高了封装体的安全性和可靠性,减少了环境污染,能够真正做到高密度线路的设计和制造。

著录项

  • 公开/公告号CN202564301U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2012-11-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏长电科技股份有限公司;

    申请/专利号CN201220204369.0

  • 发明设计人 王新潮;李维平;梁志忠;

    申请日2012-05-09

  • 分类号

  • 代理机构江阴市同盛专利事务所;

  • 代理人唐纫兰

  • 地址 214434 江苏省无锡市江阴市开发区滨江中路275号

  • 入库时间 2022-08-21 23:37:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-11-28

    授权

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