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公开/公告号CN202487592U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-10-10
原文格式PDF
申请/专利权人 东旭集团有限公司;成都泰轶斯太阳能科技有限公司;
申请/专利号CN201220136327.8
发明设计人 王小军;邢丽芬;刘秀;陈志维;李兆廷;
申请日2012-04-01
分类号H01L31/0224(20060101);
代理机构石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙);
代理人王苑祥
地址 050021 河北省石家庄市汇通路94号
入库时间 2022-08-21 23:35:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-04-16
专利权的转移 IPC(主分类):H01L31/0224 变更前: 变更后: 登记生效日:20140321 申请日:20120401
专利申请权、专利权的转移
2012-10-10
授权
机译: 包含导电衬底的存储器件,其上沉积有非晶或微晶硅碳合金层和非晶或微晶含硅材料层
机译: 非晶叠层核心和非晶叠层核心的生产方法
机译: 非晶叠层铁芯的制造方法和非晶叠层铁芯
机译:适用于大面积串联非晶/微晶硅薄膜太阳能电池模块的透明,透明和彩色模块:建筑集成光伏应用的技术发展和实际考虑
机译:串联非晶/微晶硅薄膜太阳能电池组件:新技术的发展
机译:低输出电压,高能量产量,低光致降解和高湿热可靠性的非晶/微晶硅串联薄膜太阳能电池组件的开发
机译:薄膜太阳能电池的非晶和微晶硅膜
机译:通过光子辅助的电子回旋共振化学气相沉积法生长的非晶和微晶硅薄膜,用于异质结太阳能电池和薄膜晶体管。
机译:一种基于磁共振的新技术用于非晶和准非晶结构的高分辨率定量
机译:通过VHF-GD技术制备的微晶/微晶硅硅薄膜太阳能电池
机译:高效非晶和微晶硅基双结太阳能电池,采用超高频辉光放电,第一阶段,最终技术报告,2002年8月21日至2003年5月20日。