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用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其制造方法和传感器

摘要

一种用于热释电红外传感器的半导体封装结构件及其制造方法和传感器。该半导体封装结构件包括导电金属箔、场效应管裸片或运算放大器裸片、塑封壳体及用于支承敏感元件的支承部。场效应管裸片或运放裸片粘贴在导电金属箔上,并与之电连接;塑封壳体用于封装导电金属箔及裸片。塑封壳体暴露了部分导电金属箔,暴露的部分用于实现导电金属箔与敏感元件及管座引脚的电连接。本发明采用半导体封装工艺将场效应管裸片或运放裸片封装成热释电红外传感器所需要的基板的结构和形状,该封装结构件兼具现有热释电红外传感器的基板的电连接功能,支架的支承功能以及放大元件的放大功能,从而简化了传感器内部结构,提高了可靠性,降低了成本。

著录项

  • 公开/公告号CN103033268B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆山科融电子技术有限公司;

    申请/专利号CN201110297563.8

  • 申请日2011-10-08

  • 分类号G01J5/10(20060101);G01J5/02(20060101);

  • 代理机构31247 上海华祺知识产权代理事务所;

  • 代理人刘卫宇

  • 地址 215325 江苏省苏州市昆山市周庄镇园区大道南侧

  • 入库时间 2022-08-23 09:39:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-04-10

    专利权的转移 IPC(主分类):G01J 5/10 登记生效日:20180321 变更前: 变更后: 申请日:20111008

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-04-27

    授权

    授权

  • 2016-04-27

    授权

    授权

  • 2016-01-06

    著录事项变更 IPC(主分类):G01J 5/10 变更前: 变更后: 申请日:20111008

    著录事项变更

  • 2016-01-06

    著录事项变更 IPC(主分类):G01J 5/10 变更前: 变更后: 申请日:20111008

    著录事项变更

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 5/10 申请日:20111008

    实质审查的生效

  • 2013-05-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01J 5/10 申请日:20111008

    实质审查的生效

  • 2013-04-10

    公开

    公开

  • 2013-04-10

    公开

    公开

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