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薄框架三极管

摘要

本实用新型涉及一种薄框架三极管,该三极管的框架的引脚厚度为0.35-1.20mm,框架的本体厚度为0.35-1.20mm。该三极管框架的本体厚度小于传统三极管框架的本体厚度(一般为1.27mm-1.30mm),从而可以节省成本。

著录项

  • 公开/公告号CN202307873U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2012-07-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 胡时勇;

    申请/专利号CN201120319179.9

  • 发明设计人 胡时勇;

    申请日2011-08-29

  • 分类号

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 438700 湖北省英山县杨柳湾镇杨柳街道

  • 入库时间 2022-08-21 23:30:59

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-10-19

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L23/495 授权公告日:20120704 终止日期:20150829 申请日:20110829

    专利权的终止

  • 2013-02-13

    专利实施许可合同备案的生效 IPC(主分类):H01L23/495 合同备案号:2012440020379 让与人:胡时勇 受让人:深圳市龙晶微电子有限公司 实用新型名称:薄框架三极管 授权公告日:20120704 许可种类:独占许可 备案日期:20121217 申请日:20110829

    专利实施许可合同备案的生效、变更及注销

  • 2012-07-04

    授权

    授权

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