法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-07-01
专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/311 变更前: 变更后: 登记生效日:20150612 申请日:20110921
专利申请权、专利权的转移
2014-06-25
专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L21/311 变更前: 变更后: 申请日:20110921
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
2012-05-30
授权
授权
机译: 半导体器件的元件隔离膜的制造是通过使用湿蚀刻速率高的氧化铝膜作为焊盘氧化膜,并通过清洗去除一些氧化膜的同时使沟槽的边缘变圆而制造的
机译: 去除氧化膜的方法以及与使用去除氧化膜的方法的电子设备的制造方法相同的溅射装置以及通过施加去除氧化膜的方法形成的电子设备
机译: 氧化膜去除装置,氧化膜去除部件壳体和氧化膜去除方法