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公开/公告号CN202119827U
专利类型实用新型
公开/公告日2012-01-18
原文格式PDF
申请/专利权人 武汉大学;
申请/专利号CN201120162029.1
发明设计人 张早娣;王泽松;付德君;
申请日2011-05-20
分类号
代理机构武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张火春
地址 430072 湖北省武汉市武昌区珞珈山武汉大学
入库时间 2022-08-21 23:26:19
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-07-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G01R19/25 授权公告日:20120118 终止日期:20160520 申请日:20110520
专利权的终止
2012-01-18
授权
机译: 场电离型气体离子源和聚焦离子束装置的发射器以及场电离型气体离子源的发射器的制造方法
机译: 电离发射线源的辐射锥的场大小和方式以及用以决定场形式的装置
机译: 一种采用整体平面场发射控制装置的场发射显示装置
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机译:基于场发射和肖特基使能光发射的测量的高场RF枪的表面发射研究
机译:考虑到场增强因子分布的统计性质,来自多点纳米发射矩阵的场发射电流。从发射调查结果确定场发射器阳极发射矩阵场增强因子的统计分布
机译:半导体表面场电离和场发射的研究
机译:基于使用多通道发射/接收线圈在MR扫描仪中测量的B1场确定电性能:一种通用方法
机译:一种基于近场测量的方法,用于在CIspR-25测试装置中预测30mHz以下的场发射
机译:用于质谱和应用的火山式场电离源和场发射阴极的评估